• LPCVD化学气相沉积炉.


    ANNEALSYS


      


    4-inch LPCVD 炉用于小型生产


    可提供单/双管式炉


    应用


    低应力氮化硅

    LPCVD

    退火

    氧化

    其他


    具体参数


    LC100为用于退火及LPCVD的4英寸管式炉.

    专为小型生产及研发而设计. 每次工艺可处理

    50个基片

    工艺腔室由石英管及不锈钢法兰组成

    石英舟由位于地面的两个石英脚支持.

    高性能, 低热质量, 加热器元件提供快速热反应及低污染

    高质量数字温度控制器控制每个加热区域温度

    工艺改变时,控制器有自动调谐及持续参数自适应功能

    温度控制系统提供高准确、可复现的热循环

    设备配有一条吹扫气路

    可安装8条带质量流量控制器的工艺气路.

    设备可根据客户要求定制,用于特殊工艺.


    性能和特征


    温度范围: 500 至 1000°C (1150°C 可选)

    带质量流量控制器的气体混合性能

    真空范围: 常压 至 10-6 Torr

     

    产品类别

    行业咨询

    德国FHR磁控溅射台 (卷对卷蒸发设备、刻蚀设备、原子层沉积设备、PECVD设备及真空设备专用靶材等耗材和备件)
    法国FLOWLINK SA阀门 (Aixtron设备专用阀门、高真空,特气阀门)
    法国ANNEALSYS SAS快速退火炉 (实验室、小批量生产用快速热处理设备)
    美国Ultratech (ALD原子层沉积设备等)
    美国TYSTAR CORPORATION (扩散炉、氧化炉、退火炉、化学气相沉积设备等)
    法国MPA Industrie设备 (广泛用于红外窗口材料、热解碳、太空镜、复合材料、原子能、冶金、纳米材料等领域)
     
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