• Photo-Enhanced CVD Reactors


    Tystar PVD-1000光增强型CVD反应器使用紫外线作为能源,在低温(<150ºC)条件下激发工艺气体来沉积介质薄膜。 该设备可用于沉积二氧化硅薄膜(SiO2)、氮化硅薄膜(Si3N4)、氮氧化硅薄膜(SiON)和其它薄膜。由于沉积温度较低从而可以制备低应力薄膜。由于使用的是UV光子能量,并没有电离工艺气体,从而避免因带电粒子造成的损伤。

     

    PVD-1000沉积薄膜具有良好的阶梯覆盖性。PVD-1000系统可以采用单腔室或双腔室。PVD-1000反应器能够在多种 “III/V”材料膜材料上进行薄膜沉积,比如砷化镓、锑化铟和其它的材料,这些材料不能承受高的沉积温度。

     

    请参考如下相关工艺数据: 

     

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    德国FHR磁控溅射台 (卷对卷蒸发设备、刻蚀设备、原子层沉积设备、PECVD设备及真空设备专用靶材等耗材和备件)
    法国FLOWLINK SA阀门 (Aixtron设备专用阀门、高真空,特气阀门)
    法国ANNEALSYS SAS快速退火炉 (实验室、小批量生产用快速热处理设备)
    美国Ultratech (ALD原子层沉积设备等)
    美国TYSTAR CORPORATION (扩散炉、氧化炉、退火炉、化学气相沉积设备等)
    法国MPA Industrie设备 (广泛用于红外窗口材料、热解碳、太空镜、复合材料、原子能、冶金、纳米材料等领域)
     
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