• 常用工艺及类别


    厚膜热氧化(闪蒸氧化工艺)

    光波导器件通常要求厚度(>10µm)和折射率均匀的氧化硅薄膜Tystar 多年以来一直专注于为该领域提供工艺技术,在半导体器件应用中大多采用氢氧合成湿法氧化工艺,将氢气和氧气通入炉管内部或炉管外部容器内进行燃烧生成水蒸气用于氧化工艺。典型的氧化工艺温度超过1100℃并且氧化时间需要几天至几周的时间来满足厚度方面的需求。Tystar 湿法氧化系统是采用的一个纯水持续供应系统结合液体流量控制器和闪蒸器的方式。 液体流量控制器可控制的范围最大可达10 cm3/min

     

    通过低压化学气相沉积制备氮化硅薄膜

    氮化硅是一种坚硬致密的材料。它主要用于扩散膜,钝化层,氧化掩膜,刻蚀掩膜,离子注入掩膜,隔离,封装,机械保护,微机电系统结构,介电层,光波导,多核和蚀刻停止层。二氯二氢硅的使用既能够提高均匀性又能提高刻蚀速率。工艺参数关系如下:

    §  升高温度可以降低应力

    §  增加压力和温度可以增加沉积速率

    §  增加沉积速率会降低均匀性

     

    薄膜应力与温度的关系是指炉管温度梯度不能单纯只依靠从炉口到炉尾的气体消耗而补偿,所以安装了一个罗茨泵以用来提高抽速,这样维持特定压力的同时可以通入更多的气体,增加气体流量可以缓解气体损耗的影响。

     

    为避免氮化硅薄膜出现雾化,当装卸载的时候,需要考虑一些措施来防止NH4Cl副产品的回流。Tystar 创新型主抽阀可以解决这个问题,当主抽阀关闭时,它允许一路小氮气流从炉管到泵持续吹扫。


    ▼通过低压化学气相沉积制备低应力氮化硅薄膜

    低应力氮化硅一般采用高流量比的DCS NH3(典型~10.)这种富硅沉积可以得到较低的拉应力,应力一般取决于气体混合比例和工艺温度。工艺压力通常是几托或者更低,增加压力和工艺温度会升高沉积速率但会降低均匀性。

    应用范围:MEMS 结构,扩散缓冲层,钝化层,氧化掩膜,刻蚀掩膜,离子注入掩膜,隔离层,封装,机械保护,栅极介电层,光波导,化学机械研磨和蚀刻停止层。

     

    通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜(SiH4)


    制备多晶硅最常用前驱源是硅烷SiH4)。多晶硅薄膜也可以用其它气体制备,如乙硅烷,二氯甲硅烷,三氯甲硅烷。每一种前驱源都有其自身优势。多晶硅薄膜也可以进行原位掺杂(使用磷烷,参考掺杂多晶硅的制备


    通过低压化学气相沉积制备多晶硅薄膜(Si2H6)


    相较于硅烷,使用乙硅烷制备多晶硅和非晶硅薄膜具有很多优势,较高的沉积速率,较低的温度,较好的均匀性和平滑性。低温生长会生成多个成核位置,所以晶粒较大。这也导致产生很多晶界陷阱,低电阻率和高的载子移动率。

     

    通过低压化学气相沉积制备掺杂多晶硅薄膜


    掺杂工艺如反应气体增加磷烷和三氯化硼气体可以改变晶硅导电率和应力。掺杂多晶硅需要一个笼型舟以便于取得更好均匀性。掺入磷烷能够降低多晶硅沉积速率,而掺入硼则会提高多晶硅沉积速率。原位掺杂可以通过多步工艺步骤得到较好厚度均匀性,它也是在低温环境下沉积的。缺点包括工艺复杂,厚度均匀性差,增加炉管清洗的难度等。

     

    应用范围:多晶硅可以用于电阻器,场效应管栅极,基于氢化非晶硅的薄膜电阻,动态记忆元板,沟槽填充,双极性晶体管发射器。掺杂多晶硅的传导性能足以应用于内部链接,静电器件,压阻电敏应变器。多晶硅(尤其是掺杂多晶硅)在MEMS领域经常用于结构材料。

     

    产品类别

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    德国FHR磁控溅射台 (卷对卷蒸发设备、刻蚀设备、原子层沉积设备、PECVD设备及真空设备专用靶材等耗材和备件)
    法国FLOWLINK SA阀门 (Aixtron设备专用阀门、高真空,特气阀门)
    法国ANNEALSYS SAS快速退火炉 (实验室、小批量生产用快速热处理设备)
    美国Veeco/Cambridge NanoTech (ALD原子层沉积设备等)
    美国TYSTAR CORPORATION (扩散炉、氧化炉、退火炉、化学气相沉积设备等)
    法国MPA Industrie设备 (广泛用于红外窗口材料、热解碳、太空镜、复合材料、原子能、冶金、纳米材料等领域)
     
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