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Tystar.光增强反应器

光增强CVD打开图

Tystar PVD1000光增强型CVD反应器使用紫外线作为能源来在低温下(<150ºC)激发工艺气体以沉积介质薄膜。该设备可用于沉积二氧化硅薄膜(SiO2)、氮化硅薄膜(Si3N4)、氮氧化硅薄膜(SiON)和其它薄膜。由于沉积温度较低从而得到低应力薄膜。由于所使用的UV光子能量没有将工艺气体电离,避免因带电粒子造成的辐射损伤。

PVD1000沉积膜提供了良好的阶梯覆盖率。PVD1000系统采用单腔室和双腔室。PVD1000反应器可用于各种“III/V”材料膜的沉积,比如砷化镓、锑化铟和其它的材料,这些材料不能承受高的沉积温度。

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